近日，AT ELECTRONICS HONGKONG LIMITED正式发布新一代4500V高压功率半导体芯片——ATD204V450Y6快速恢复二极管（FRD）和ATBG204N450AL绝缘栅双极型晶体管（IGBT），这两款产品凭借其卓越的技术性能和创新设计，成功填补了高压领域的市场空白，为电力电子行业带来了新的突破。

一、产品技术亮点

ATD204V450Y6快速恢复二极管采用了高度坚固的SPT（软穿通）设计，结合高电流密度和高封装密度技术，实现了高效的能量转换和低损耗运行。其软开关特性和低恢复电荷（Qrr）显著降低了开关过程中的能量损失，同时支持高达4500V的反向电压和80A的连续正向电流，适用于高功率IGBT和二极管模块。该芯片的机械参数显示，其芯片尺寸为14.3×14.3mm，厚度600μm，采用150mm晶圆制造工艺，确保了稳定性和可靠性。

ATBG204N450AL IGBT则基于先进的NPT+（非穿通型）技术，具备高电流密度和易于并联的特性，其集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）的正温度系数设计确保了并联运行时的均流效果。芯片内置栅极电阻，实现了短路电流的自限制功能，提高了系统的安全性和可靠性。该IGBT支持4500V的集电极-发射极电压和55A的连续集电极电流，适用于高压压装IGBT模块，广泛应用于牵引逆变器、智能电网和风力涡轮机等领域。

二、应用领域拓展

这两款芯片的推出，为高压电力电子系统提供了高效、可靠的解决方案。在工业驱动领域，ATD204V450Y6的低恢复电荷特性可有效减少电机驱动系统的开关损耗，提升能效；ATBG204N450AL的自限制短路电流功能则保障了设备在异常工况下的安全运行。在新能源领域，如风力发电和智能电网，两款芯片的高耐压和高电流密度特性能够满足高压输电和能量转换的需求，支持可再生能源的高效利用。此外，在轨道交通领域，ATBG204N450AL的压装式设计和高可靠性使其成为牵引逆变器的理想选择，助力高铁和电动汽车的动力系统升级。

三、市场意义与行业影响

当前，全球高压IGBT模块市场呈现快速增长趋势，尤其是大于4000V的细分市场需求显著提升。ATS此次发布的4500V FRD和IGBT芯片，不仅满足了市场对高可靠性、高效率解决方案的迫切需求，更通过技术创新推动了行业的发展。例如，ATD204V450Y6的SPT设计相比传统结构，在相同耐压下芯片厚度降低30%，尺寸大幅减小，同时保持了高电流密度和低损耗特性；ATBG204N450AL的NPT+技术则优化了通态压降与耐压的关系，提升了器件的整体性能。

此外，这两款芯片的推出也进一步巩固了ATS在高压功率半导体领域的技术领先地位。通过提供高性能的FRD和IGBT芯片，ATS为客户提供了更全面的解决方案，帮助其降低系统成本、提高能效，并支持绿色能源和智能电网的发展。

四、公司展望

AT ELECTRONICS HONGKONG LIMITED表示，此次发布的4500V FRD和IGBT芯片是公司技术研发的重要里程碑。未来，公司将继续加大研发投入，致力于开发更高性能、更可靠的功率半导体产品，以满足不断变化的市场需求。同时，ATS将与行业伙伴紧密合作，推动高压功率半导体技术在新能源、工业自动化和智能电网等领域的广泛应用，为全球能源转型和可持续发展贡献力量。

如需了解更多产品信息或技术支持，请联系ATS官方邮箱：support@at-semi.com。

关于ATS ELECTRONICS HONGKONG LIMITED
AT ELECTRONICS HONGKONG LIMITED是一家专注于功率半导体器件研发与生产的领先企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的芯片解决方案。公司拥有先进的晶圆制造工艺和严格的质量控制体系，产品广泛应用于电力电子、工业驱动、新能源等领域。通过持续的技术创新和卓越的客户服务，ATS已成为全球功率半导体行业的重要参与者。